物院青年教师线上论坛
后摩尔硅器件半导体前沿物理
主讲人：骆军委
报告人简介：骆军委，中国科学院半导体研究所研究员，半导体芯片物理与技术全国重点实验室主任。 2000年和2003年在浙江大学物理系分别获得学士和硕士学位。2006年在中国科学院半导体研究所获得理学博士学位。2007年至2014年在美国可再生能源国家实验室先后任职博士后、Scientist和Senior Scientist。2014年入选国家高层次人才青年项目，全职回国工作。 2019年获得国家杰出青年科学基金。2021年获中国科学院首批稳定支持青年团队资助。担任国家重点研发计划“物态调控”专项总体专家组成员和国家基金委十四五和中长期物理学科战略规划秘书组成员。长期从事半导体物理与器件物理研究，在解决硅基发光世界难题和硅基量子计算材料方面取得多项原创性研究成果，包括揭示硅量子点难以高效发光的物理根源否定了硅量子硅基发光方案，提出掺杂应变锗直接带隙发光的硅基发光原创方案，提出隐藏自旋极化新理论并启发众多新隐藏物理的发现等。已发表论文130余篇，包括以第一或通讯作者发表在Nature(1)、Nature Physics(1)、Nature Nanotechnology (1)、PRL(7)、Nature Communications(5)、Science Advances(1)、PNAS(1)等，担任32届半导体缺陷国际会议和22届多元化合物国际会议共同主席。
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